◎ 科技日报记者王春 U系大作战2

8月13日，记者从复旦大学获悉，该校周鹏-刘春森团队从界面工程开赴，在国外上初次杀青了最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成考据，并证明了其超快特色可蔓延至亚10纳米。关系筹谋后果12日发表于国外期刊《当然·电子学》。

东谈主工智能的赶紧发展伏击需要高速非易失存储技巧，面前主流非易失闪存的编程速率大齐在百微秒级，无法撑抓阁下需求。该筹谋团队在前期发现二维半导体结构简略将其速率擢升一千倍以上，杀青颠覆性的纳秒级超快存储闪存技巧。关联词，杀青规模集成、走向本色阁下仍具有挑战。

为此，筹谋东谈主员引诱了超界面工程技巧，在规模化二维闪存中杀青了具备原子级平整度的异质界面，联结高精度的表征技巧，知道集成工艺优于国外水平。筹谋东谈主员通过严格的直流存储窗口、换取脉冲存储性能测试，证据了二维新机制闪存在1Kb存储规模中，在纳秒级非易失编程速率下的良率可高达98%，这一良率高于国外半导体技巧门道图对闪存制造89.5%的良率条目。

同期，筹谋团队研发了不依赖先进光刻成就的自瞄准工艺，联结原始编削的超快存储叠层电场缱绻表面，收效杀青了沟谈长度为8纳米的超快闪存器件。该器件是当今国外最短沟谈闪存器件，打破了硅基闪存物理尺寸极限，约15纳米。在原子级薄层沟谈支抓下，这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、10万次轮回寿命和多态存储性能。

筹谋东谈主员先容U系大作战2，此项筹谋职责将推进超快闪存技巧的产业化阁下。